英飞凌推出SiC沟槽型超结(TSJ)技术

英飞凌科技（Infineon Technologies）近日正式发布了革命性的碳化硅（SiC）沟槽型超结（Trench SuperJunction，TSJ）技术，这是全球首个将超结结构成功应用于SiC功率器件的商业化技术方案。

传统的SiC MOSFET主要采用平面栅或沟槽栅结构，而TSJ技术通过在SiC衬底中引入交替排列的P型和N型柱状结构，实现了导通电阻的大幅降低。英飞凌公布的测试数据显示，与当前最先进的SiC沟槽栅MOSFET相比，TSJ器件的导通电阻降低了约40%，同时开关损耗也有显著改善。

英飞凌功率系统事业部总裁表示，TSJ技术将在800V电动汽车平台、高效光伏逆变器和数据中心电源等领域带来显著的系统效率提升。首批基于TSJ技术的1200V SiC MOSFET产品样品已向主要客户送样评估，量产计划于2026年下半年启动。